Waarom moet de schone ruimte van FAB vochtigheid controleren?

De vochtigheid is een gemeenschappelijke milieucontrolevoorwaarde in de verrichting van cleanrooms. De streefwaarde van relatieve vochtigheid in de halfgeleider schone ruimte wordt gecontroleerd om in de waaier die van 30 aan 50% te zijn, de fout toestaan om binnen een smalle waaier van ±1%, zoals een photolithographic gebied te zijn - of zelfs kleiner in het verre ultraviolette verwerkings (DUV) gebied. - In andere plaatsen, kunt u aan binnen ±5% ontspannen.

Omdat de relatieve vochtigheid een aantal factoren heeft die tot de algemene prestaties van de schone ruimte kunnen bijdragen, omvattend:

● de bacteriële groei;

● De waaier van comfort die het personeel bij kamertemperatuur voelt;

● De statische last verschijnt;

● metaalcorrosie;

● De condensatie van de waterdamp;

● degradatie van lithografie;

● Waterabsorptie.

De bacteriën en andere biologische verontreinigende stoffen (vorm, virussen, paddestoelen, mijten) kunnen zich actief in milieu's met relatieve vochtigheid boven 60% vermenigvuldigen. Wat flora kan groeien wanneer de relatieve vochtigheid 30% overschrijdt. Wanneer de relatieve vochtigheid tussen 40% en 60% is, kunnen de gevolgen van bacteriën en ademhalingsbesmettingen worden geminimaliseerd.

De relatieve vochtigheid in de waaier van 40% aan 60% is ook een bescheiden waaier waarin de mensen comfortabel voelen. De bovenmatige vochtigheid kan mensen gedeprimeerd maken voelen, terwijl de vochtigheid onder 30% mensen kan maken droog, doen barsten, ademhalingsongemak en emotioneel ongemak voelen.

De hoge vochtigheid vermindert eigenlijk de accumulatie van statische last op de oppervlakte van de schone ruimte - dit is het gewenste resultaat. De lagere vochtigheid is geschikter voor lastenaccumulatie en een potentieel schadelijke bron van elektrostatische lossing. Wanneer de relatieve vochtigheid 50% overschrijdt, begint de statische last snel te verdrijven, maar wanneer de relatieve vochtigheid minder dan 30% is, kunnen zij lange tijd op de isolatie of de ungrounded oppervlakte voortduren.

De relatieve vochtigheid tussen 35% en 40% kan een bevredigend compromis zijn, en halfgeleidercleanrooms gebruiken typisch extra controles om de accumulatie van statische last te beperken.

De snelheid van vele chemische reacties, met inbegrip van het corrosieproces, zal stijgen aangezien de relatieve vochtigheid stijgt. Alle oppervlakten die aan de lucht worden blootgesteld die de schone ruimte omringen zijn snel behandeld met minstens één monolayer van water. Wanneer deze oppervlakten uit een dunne metaaldeklaag worden samengesteld die met water kan reageren, kan de hoge vochtigheid de reactie versnellen. Gelukkig, kunnen sommige metalen, zoals aluminium, een beschermend oxyde met water vormen en verdere oxydatiereacties verhinderen; maar een ander geval, zoals koperoxyde, is niet beschermend, zodat in hoge vochtigheidsmilieu's, zijn de koperoppervlakten vatbaarder voor corrosie.

Bovendien in een hoog relatieve vochtigheidsmilieu, wordt photoresist uitgebreid en na de bakselcyclus toe te schrijven aan de absorptie van vochtigheid verergerd. Photoresist de adhesie kan ook negatief door hogere relatieve vochtigheid worden beïnvloed; de lagere relatieve vochtigheid (ongeveer 30%) maakt photoresist adhesie, zelfs zonder de behoefte aan een polymere bepaling gemakkelijker.

Controleren van relatieve vochtigheid in een halfgeleider schone ruimte is niet willekeurig. Nochtans, als tijdveranderingen, is het best om de redenen en de stichtingen van gemeenschappelijke, algemeen aanvaarde praktijken te herzien.

De vochtigheid kan niet voor ons menselijk comfort bijzonder merkbaar zijn, maar het heeft vaak een grote invloed op het productieproces, vooral waar de vochtigheid hoog is, en de vochtigheid is vaak de slechtste controle, die is waarom in de temperatuur en vochtigheidscontrole van de schone ruimte, de vochtigheid de voorkeur heeft.